[19a-A17-1~12] 13.2 絶縁膜技術

△ [19a-A17-9] SiN膜組成制御によるMONOS型メモリ消去速度-保持特性両立

^○藤井章輔，草井悠，佐久間究，小山正人 (東芝)

キーワード：不揮発メモリ