[19a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19a-A19-12] SiナノワイヤのNiシリサイド化速度へのポスト酸化アニールの影響

^○セイ ソン¹，橋本修一郎¹，小杉山洋希¹，武井康平¹，麻田修平¹，徐泰宇¹，若水昂¹，今井亮佑²，徳武寛紀²，松川貴³，富田基裕²，小椋厚志²，昌原明植³，渡邉孝信¹ (早大理工¹，明大理工²，産総研³)

キーワード：Siナノワイヤ,Niシリサイド