2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:30 A19 (E311)

10:00 〜 10:15

[19a-A19-5] 初期非晶質性を変調した Ge 薄膜の Au 誘起成長

岡本隼人1,堀眞聡1,茂藤健太1,崎山晋1,塘内功大1,原英之2,西村浩人2,高倉健一郎1,角田功1 (熊本高専1,ブルカーバイオスピン2)

キーワード:ゲルマニウム,金属誘起成長,初期非晶質性