2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19p-A15-1~12] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年9月19日(金) 13:30 〜 16:45 A15 (E306)

15:15 〜 15:30

[19p-A15-7] ポリシリコンの結晶性を考慮したモンテカルロイオン注入計算手法

関野勇樹1,横田義徳1,伊藤早苗1,青木伸俊1,石丸一成1,宮野清孝2 (東芝S&S社1,NFT2)

キーワード:プロセスシミュレーション,ポリシリコン,モンテカルロイオン注入