[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

[19p-A17-6] ALDにより形成したAl₂O₃/Geゲートスタックに於けるKr/O₂ ECRプラズマ酸化効果

^○（M2）長岡裕一¹，永冨雄太¹，山本圭介²，王冬¹，中島寛² (九大院総合理工学府¹，九大産学連携センター²)

キーワード：半導体,ゲルマニウム,原子層堆積