[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

[19p-A17-8] CVD法によるGe酸化膜の作製と評価

^○（M2）松岡悠斗，岩崎好孝，上野智雄 (農工大工)

キーワード：半導体,ゲルマニウム,TEOG