[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

[19p-A17-9] Hf-PMAによる良質なGeO₂/Ge界面とGeO₂絶縁膜の性質変化

^○新井田淳平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大工)

キーワード：Ge,Hf