2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-A19-1~15] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年9月19日(金) 14:00 〜 18:00 A19 (E311)

14:00 〜 14:15

[19p-A19-1] 新Ti原料を用いた低抵抗CVD-TiN薄膜の形成

原田和宏，中谷公彦，○芦原洋司，金山健司 (日立国際電気)

キーワード：CVD TiN