[19p-A19-1~15] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-A19-13] 3D IC用ビアラスト・バックサイドビアプロセスにおけるプラズマダメージのMOSFET特性への影響評価

^○菅原陽平¹，橋口日出登¹，谷川星野¹，木野久志²，福島誉史³，李康旭³，小柳光正³，田中徹^1,2 (東北大院工¹，東北大院医工²，東北大未来研³)

キーワード：半導体,三次元集積回路,TSV