[19p-A19-1~15] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-A19-7] 基板表裏面間差圧を用いたウェハレベル超臨界Cu均一成膜

^○渡邉満洋¹，植野隆大¹，近藤英一¹，山本敏²，末益龍夫² (山梨大院医工¹，フジクラ²)

キーワード：超臨界流体,薄膜堆積,銅