一般セッション(口頭講演)

[17a-F11-1~11] 9.3 ナノエレクトロニクス

2014年3月17日(月) 09:30 〜 12:30 F11 (F407)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[17a-F11-1] 入力のズレを許容する単電子ドミノ論理回路の設計

^○（M1）大竹央将，大矢剛嗣 (横国大院工)

09:45 〜 10:00

[17a-F11-2] カニの群行動に学ぶ単電子情報処理

^○今野和樹，大矢剛嗣 (横国大)

10:00 〜 10:15

[17a-F11-3] 蟻の群行動に学ぶ単電子情報処理回路(3)

^○（M1）小尾勇志，大矢剛嗣 (横国大院工)

10:15 〜 10:30

[17a-F11-4] 単電子ネットワークを用いた熱雑音による信号検出

^○藤野啓基，大矢剛嗣 (横国大院工)

10:30 〜 10:45

[17a-F11-5] 熱ノイズを利用した単電子信号伝送の速度向上

^○（B）平島諒，大矢剛嗣 (横国大)

休憩 10:45〜11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[17a-F11-6] 雑音中の微弱信号検出のための非線形関数とパラメータ設計理論

^○葛西誠也¹，田所幸浩²，一木輝久³ (北大情報・量集センタ¹，豊田中研²，名大グリーン連携セ³)

11:15 〜 11:30

[17a-F11-7] 最適化問題解探索電子アメーバ

^○葛西誠也¹，青野真士²，成瀬誠³，巳波弘佳⁴，若宮遼¹ (北大情報・量集センタ¹，東工大地球生命研²，NICT光ネット研³，関学大工⁴)

11:30 〜 11:45

△ [17a-F11-8] GaAsエッチングナノワイヤMISFETのヒステリシス特性評価

^○黒田亮太^1,2，葛西誠也^1.2 (北大院情報科学¹，北大量集センター²)

11:45 〜 12:00

△ [17a-F11-9] GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形特性動作の表面依存性評価

^○佐藤将来^1,2，殷翔^1,2，葛西誠也^1,2 (北大院情報科学¹，北大量集センター²)

12:00 〜 12:15

[17a-F11-10] GaAsナノワイヤFET雑音解析にもとづく分子電荷ダイナミクス検出

^○井上慎也^1,2，黒田亮太^1,2，葛西誠也^1,2 (北大院情報¹，北大量集センター²)

12:15 〜 12:30

▲ [17a-F11-11] Thermoelectricity of C₈₂ and Gd@C₈₂ Molecular Junctions

^○See Kei Lee¹，Marius Buerkle²，山田亮¹，浅井美博²，多田博一¹ (阪大院基礎工¹，産総研ナノシステム²)

一般セッション(口頭講演)

[17p-F11-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

2014年3月17日(月) 14:00 〜 17:45 F11 (F407)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:30〜14:00 （12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

[17p-F11-1] 薄膜グラファイト細線の通電時温度イメージング

^○又吉美佐枝，須田隆太郎，白樫淳一 (東京農工大院工)

14:15 〜 14:30

[17p-F11-2] 超伝導体にバナジウムを用いたマイクロ冷凍機の試作と動作検証

^○井上裕太，島田宏，守屋雅隆，水柿義直 (電気通信大院)

14:30 〜 14:45

[17p-F11-3] 入力離散化器を備えた単電子トランジスタの離散的入出力特性の実験検証

^○（D）滝口将志，三浦晃司，島田宏，水柿義直 (電通大)

14:45 〜 15:00

[17p-F11-4] 銀微粒子単電子トランジスタの作製

^○山本真人¹，大岩さゆり²，篠原修平²，玉田薫²，上田里永子³，照井通文³，石井久夫^1,4，野口裕^1,4 (千葉大融合¹，九大先導研²，情通研未来³，千葉大先進⁴)

15:00 〜 15:15

[17p-F11-5] Ce@C₈₂金属内包フラーレン単一分子トランジスタの電子伝導

^○岡村直柔¹，坂田修一¹，吉田健治¹，平川一彦^1,2 (東大生研¹，ナノ量子機構²)

15:15 〜 15:30

△ [17p-F11-6] 単一分子トランジスタにおけるTHz フォトンアシストトンネル効果

^○（PC）吉田健治，柴田憲治，岡村直柔，平川一彦 (東大生研・ナノ量子機構)

15:30 〜 15:45

[17p-F11-7] 無電解金メッキ法におけるナノギャップ電極密度とメッキ成長速度の関係

^○青山詠樹^1,2，寺西利治^2,3，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，CREST-JST²，京大化研³)

休憩 15:45〜16:00 （15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[17p-F11-8] 無電解金メッキ法による縦型非対称ナノギャップ電極の作製

^○大沼悠人^1,2，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，CREST-JST²)

16:15 〜 16:30

[17p-F11-9] ポルフィリン誘導体保護Auナノ粒子のトンネル抵抗制御

^○川本慎^1,2，小林祥希^1,2，田中大介^2,3，坂本雅典^2,3，寺西利治^2,3，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，CREST-JST²，京大化研³)

16:30 〜 16:45

▼ [17p-F11-10] Self-terminated Nanogap Electrodes by Electroless Gold Plating

^○VictorSerdio^1,2，武下宗平^1,2，東康男^1,2，寺西利治^2,3，真島豊^1,2 (東工大応セラ研¹，CREST-JST²，京大化研³)

16:45 〜 17:00

[17p-F11-11] Niナノギャップにおける抵抗スイッチング効果

^○滝川主喜，須田隆太郎，伊藤光樹，森原康平，豊中貴大，白樫淳一 (東京農工大院工)

17:00 〜 17:15

[17p-F11-12] 中空型Niナノギャップでのマイグレーションによる電気的特性制御

^○豊中貴大，須田隆太郎，伊藤光樹，森原康平，滝川主喜，白樫淳一 (東京農工大院工)

17:15 〜 17:30

[17p-F11-13] FPGAを用いたエレクトロマイグレーションの超高速計測制御

^○金丸祐真，安藤昌澄，須田隆太郎，白樫淳一 (東京農工大院工)

17:30 〜 17:45

[17p-F11-14] RTOSを用いた計測制御システムによるAuナノワイヤの時間確定型エレクトロマイグレーション特性

^○安藤昌澄，金丸祐真，須田隆太郎，白樫淳一 (東京農工大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[18p-PG10-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

2014年3月18日(火) 16:00 〜 18:00 PG10 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:00 〜 18:00

[18p-PG10-1] 走査型プローブ顕微鏡を用いた機能性微粒子フェリチンの電気特性評価

^○宮岸康¹，小菅浩揮¹，浦岡行治²，山下一郎²，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，奈良先端大²)

16:00 〜 18:00

[18p-PG10-2] ナノめっき技術を用いた硬質貴金属電気接点の実用化研究

^○河野真治¹，齋藤美紀子² (田中貴金属工業¹，早大ナノ理工²)

16:00 〜 18:00

△ [18p-PG10-3] 微細構造形成に向けたエレクトロマイグレーションによる細線破断過程の解析

^○（D）村上暢介，有田正志，髙橋庸夫 (北大院情報)

16:00 〜 18:00

[18p-PG10-4] ナノギャップを利用した量子ポイントコンタクトの形成と制御

^○須田隆太郎，伊藤光樹，森原康平，豊中貴大，滝川主喜，白樫淳一 (東京農工大院工)

16:00 〜 18:00

[18p-PG10-5] 直並列接続型ナノギャップでの通電狭窄における構造制御パラメータについての検討

^○伊藤光樹，須田隆太郎，森原康平，豊中貴大，滝川主喜，白樫淳一 (東京農工大院工)

16:00 〜 18:00

[18p-PG10-6] エレクトロマイグレーションを利用した直列接続型ナノギャップでの通電強度の検討

^○森原康平，伊藤光樹，須田隆太郎，豊中貴大，滝川主喜，白樫淳一 (東京農工大院工)

16:00 〜 18:00

[18p-PG10-7] フィードバック制御エレクトロマイグレーションによるAuナノチャネル狭窄化過程のその場AFM観察

^○八木麻実子，須田隆太郎，齋藤孝成，白樫淳一 (東京農工大院工)

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[17a-F11-1~11] 9.3 ナノエレクトロニクス

[17a-F11-1] 入力のズレを許容する単電子ドミノ論理回路の設計

[17a-F11-2] カニの群行動に学ぶ単電子情報処理

[17a-F11-3] 蟻の群行動に学ぶ単電子情報処理回路(3)

[17a-F11-4] 単電子ネットワークを用いた熱雑音による信号検出

[17a-F11-5] 熱ノイズを利用した単電子信号伝送の速度向上

[17a-F11-6] 雑音中の微弱信号検出のための非線形関数とパラメータ設計理論

[17a-F11-7] 最適化問題解探索電子アメーバ

△ [17a-F11-8] GaAsエッチングナノワイヤMISFETのヒステリシス特性評価

△ [17a-F11-9] GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形特性動作の表面依存性評価

[17a-F11-10] GaAsナノワイヤFET雑音解析にもとづく分子電荷ダイナミクス検出

▲ [17a-F11-11] Thermoelectricity of C₈₂ and Gd@C₈₂ Molecular Junctions

[17p-F11-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

[17p-F11-1] 薄膜グラファイト細線の通電時温度イメージング

[17p-F11-2] 超伝導体にバナジウムを用いたマイクロ冷凍機の試作と動作検証

[17p-F11-3] 入力離散化器を備えた単電子トランジスタの離散的入出力特性の実験検証

[17p-F11-4] 銀微粒子単電子トランジスタの作製

[17p-F11-5] Ce@C₈₂金属内包フラーレン単一分子トランジスタの電子伝導

△ [17p-F11-6] 単一分子トランジスタにおけるTHz フォトンアシストトンネル効果

[17p-F11-7] 無電解金メッキ法におけるナノギャップ電極密度とメッキ成長速度の関係

[17p-F11-8] 無電解金メッキ法による縦型非対称ナノギャップ電極の作製

[17p-F11-9] ポルフィリン誘導体保護Auナノ粒子のトンネル抵抗制御

▼ [17p-F11-10] Self-terminated Nanogap Electrodes by Electroless Gold Plating

[17p-F11-11] Niナノギャップにおける抵抗スイッチング効果

[17p-F11-12] 中空型Niナノギャップでのマイグレーションによる電気的特性制御

[17p-F11-13] FPGAを用いたエレクトロマイグレーションの超高速計測制御

[17p-F11-14] RTOSを用いた計測制御システムによるAuナノワイヤの時間確定型エレクトロマイグレーション特性

[18p-PG10-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

[18p-PG10-1] 走査型プローブ顕微鏡を用いた機能性微粒子フェリチンの電気特性評価

[18p-PG10-2] ナノめっき技術を用いた硬質貴金属電気接点の実用化研究

△ [18p-PG10-3] 微細構造形成に向けたエレクトロマイグレーションによる細線破断過程の解析

[18p-PG10-4] ナノギャップを利用した量子ポイントコンタクトの形成と制御

[18p-PG10-5] 直並列接続型ナノギャップでの通電狭窄における構造制御パラメータについての検討

[18p-PG10-6] エレクトロマイグレーションを利用した直列接続型ナノギャップでの通電強度の検討

[18p-PG10-7] フィードバック制御エレクトロマイグレーションによるAuナノチャネル狭窄化過程のその場AFM観察

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[17a-F11-1~11] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [17a-F11-8] GaAsエッチングナノワイヤMISFETのヒステリシス特性評価

△ [17a-F11-9] GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形特性動作の表面依存性評価

▲ [17a-F11-11] Thermoelectricity of C82 and Gd@C82 Molecular Junctions

[17p-F11-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [17p-F11-6] 単一分子トランジスタにおけるTHz フォトンアシストトンネル効果

▼ [17p-F11-10] Self-terminated Nanogap Electrodes by Electroless Gold Plating

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△ [18p-PG10-3] 微細構造形成に向けたエレクトロマイグレーションによる細線破断過程の解析

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