^○MuhammadIslam¹，MohammadHalim¹，ChonJyo¹，TakeakiSakurai¹，NoriyukiSakai²，TakuyaKato²，HirokiSugimoto²，HitoshiTampo³，HajimeShibata³，ShigeruNiki³，秋本克洋¹ (Tsukuba u.¹，Showa Shel²，AIST³)

13:30 〜 15:30

▲ [18p-PG4-18] Cu2ZnSn(S、Se)4薄膜太陽電池のトランジェントフォトキャパシタンススペクトロスコピー

13:30 〜 15:30

▼ [18p-PG4-19] 二波長フォトルミネッセンス分光によるCu2ZnSnS4（CZTS）のキャラクタリゼーション

^○MohammadHalim¹，MuhammadIslam¹，ChonJyo¹，TakeakiSakurai¹，NoriyukiSakai²，TakuyaKato²，HirokiSugimoto²，HitoshiTampo³，HajimeShibata³，SigeruNiki³，秋本克洋¹ (U. Tsukuba¹，Showa Shel²，AIST³)

13:30 〜 15:30

△ [18p-PG4-20] 四元系化合物Cu₂ZnSnS₄単結晶中のNaの影響

^○永岡章^1,5，吉野賢二¹，三宅秀人²，柿本浩一³，野瀬嘉太郎⁴ (宮崎大工¹，三重大工²，九大応力研³，京大工⁴，学振特別研究員⁵)

13:30 〜 15:30

△ [18p-PG4-21] ナノ粒子塗布による化合物半導体薄膜の作製

^○川尻拓生，曽川慎治，原田隆史，池田茂，松村道雄 (阪大)

13:30 〜 15:30

[18p-PG4-22] Cu₂Oヘテロ接合太陽電池のデバイスシミュレーション

^○（M1）滝口雄貴，宮島晋介 (東工大院理工)

13:30 〜 15:30

[18p-PG4-23] 太陽電池モジュールの高耐久性に寄与する新規ＰＶＢ封止材

^○保田浩孝¹，向瀬峰¹，六車慎一²，増田淳³，柴田肇³，仁木栄³ (クラレ¹，ＫｕｒａｒａｙＥｕｒｏｐｅＧｍｂＨ²，産総研³)

一般セッション(口頭講演)

[19a-D7-1~12] 14.5 化合物太陽電池

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:15 D7 (D214)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[19a-D7-1] 化学ポテンシャル図を利用したCuInSe₂成膜の反応解析

^○野瀬嘉太郎，畑田直行 (京大工)

09:15 〜 09:30

▲ [19a-D7-2] GaAs(001)上に成長したCuGaSe2薄膜のRHEED観察と光学特性

^○SathiabamaThiru^1,2，佐藤知嵩^1,2，豊田康揮^1,2，河原塚篤³，堀越佳治^1,2,3 (早大¹，早大材料技術研究所²，JST CREST³)

09:30 〜 09:45

△ [19a-D7-3] 第一原理計算によるカルコパイライト型化合物の粒界構造設計

^○（M2）山口裕之^1,2，溝口照康² (東大院工¹，東大生産研²)

09:45 〜 10:00

[19a-D7-4] 透過電子顕微鏡によるCu(In,Ga)Se₂薄膜の粒界評価

^○青柳健大¹，峯元高志² (R-GIRO¹，立命館大理工²)

10:00 〜 10:15

[19a-D7-5] ケルビンプローブフォース顕微鏡によるCIGS太陽電池の暗状態および光照射下での表面電位評価

^○石井智章¹，峯元高志³，高橋琢二^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大理工³)

10:15 〜 10:30

△ [19a-D7-6] 3段階法により作製したCu(In,Ga)Se₂太陽電池に対する分光感度スペクトルの厳密計算

^○原拓也¹，前川拓滋²，箕浦翔太¹，柴田肇³，仁木栄³，藤原裕之¹ (岐阜大¹，ローム²，産総研³)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-D7-7] Lift-off Cu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池における裏面バッファ層構成の検討

^○（B）新井裕之，田村昭洋，青柳健大，峯元高志 (立命館大理工)

11:00 〜 11:15

[19a-D7-8] 裏面側に高欠陥密度層をもつCu(In,Ga)Se₂太陽電池の性能シミュレーション

^○（BC）芦田直輝，村田雅，植垣光，廣庭大輔，峯元高志 (立命館大理工)

11:15 〜 11:30

[19a-D7-9] SiO₂絶縁膜付SUS基板上CIGS集積型サブモジュール

^○（PC）小牧弘典¹，柴田肇¹，古屋英二²，小山良介²，松岡秀展²，仁木栄¹ (産総研¹，中外炉工業²)

11:30 〜 11:45

[19a-D7-10] CuIn_1-xGa_xSe₂太陽電池モジュールにおけるPID現象

^○（B）山口世力^1,2，原浩二郎²，小牧弘典²，上川由紀子²，柴田肇²，仁木栄²，川上雄士¹，増田淳² (久留米高専¹，産総研²)

11:45 〜 12:00

△ [19a-D7-11] Ag(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の高効率化に向けた研究

^○梅原猛¹，飯沼祥平¹，黒川康良¹，山田明^1,2 (東工大院理工¹，東工大PVREC²)

12:00 〜 12:15

▲ [19a-D7-12] Impact of Ga/(In+Ga) Content in Different Cu(In,Ga)Se₂ Part on Cell Performance Investigated by Correlation Coefficient

^○（P）JakapanChantana¹，DaisukeHironiwa¹，TaichiWatanabe²，SeikiTeraji²，KazunoriKawamura²，TakashiMinemoto¹ (Ritsumeikan Univ.¹，Nitto Denko Corporation²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-D7-1~18] 14.5 化合物太陽電池

2014年3月19日(水) 13:30 〜 18:30 D7 (D214)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食 12:15〜13:30 （12:15 〜 13:30）

13:30 〜 14:00

[19p-D7-1] 「第4回女性研究者研究業績・人材育成賞(小舘香椎子賞)受賞記念講演」（30分）一つの光子で複数の励起子を生成～次世代量子ドット太陽電池の基礎研究～

^○沈青 (電通大)

14:00 〜 14:15

[19p-D7-2] 波長800nmおよび400nmのパルスレーザー光励起による3接合タンデム太陽電池から放射されるテラヘルツ波分析

^○梅垣俊仁¹，酒井裕司¹，伊藤明²，中西英俊²，川山巌¹，村上博成¹，斗内政吉¹ (阪大レーザー研¹，大日本スクリーン製造²)

14:15 〜 14:30

[19p-D7-3] 太陽電池の特性値を用いた再結合電流の評価

^○河原塚篤^1,2,3，西永慈郎^1,2,3，堀越佳治^1,2,3 (早大理工¹，早大材研²，JST-CREST³)

14:30 〜 14:45

[19p-D7-4] GaSb単接合セルを用いた集光太陽光による高効率熱光起電力発電システム

^○小桧山朝華 (東北大院工)

14:45 〜 15:00

[19p-D7-5] メカニカルスタックソーラーセル用中間接着層の開発

^○（B）藤井則孝，吉冨真也，蓮見真彦，鮫島俊之 (東京農工大工)

15:00 〜 15:15

[19p-D7-6] 導電性ナノ粒子配列を用いたメカニカルスタック多接合太陽電池の検討－Ⅲ

^○牧田紀久夫，水野英範，大島隆治，菅谷武芳，小牧弘典，松原浩司 (産総研)

15:15 〜 15:30

[19p-D7-7] 多接合タンデム太陽電池効率の拡張詳細平衡理論

朱琳¹，望月敏光¹，吉田正裕¹，陳少強¹，金昌秀¹，佐藤慎太郎¹，^○秋山英文¹，金光義彦² (東大物性研¹，京大化研²)

15:30 〜 15:45

▲ [19p-D7-8] 多接合タンデム太陽電池の変換効率と最適設計の内部発光効率依存性

^○朱琳¹，望月敏光¹，吉田正裕¹，陳少強¹，金昌秀¹，佐藤慎太郎¹，秋山英文¹，金光義彦² (東大物性研¹，京大化研²)

15:45 〜 16:00

△ [19p-D7-9] GaInNAsSb化合物太陽電池の集光特性の改善

^○宮下直也，岡田至崇 (東大先端研)

休憩 16:00〜16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[19p-D7-10] 非極性m面GaN基板上に作製したGaInN系太陽電池の特性

^○小崎桂矢¹，黒川泰視¹，岩谷素顕¹，上山智¹，竹内哲也¹，赤﨑勇^1,2，天野浩^2,3 (名城大・理工¹，名大・赤﨑記念センター²，名古屋大・院工³)

16:30 〜 16:45

△ [19p-D7-11] プローブ構造を用いた量子構造太陽電池におけるキャリア走行時間の測定

^○カシディットトープラサートポン¹，笠松直史³，藤井宏昌¹，加田智之³，朝日重雄³，王云鵬²，渡辺健太郎²，杉山正和¹，喜多隆³，中野義昭¹ (東大工¹，東大先端研²，神戸大³)

16:45 〜 17:00

△ [19p-D7-12] 可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価

^○（M2）西谷健治，志村大樹，市橋史朗，桒原真人，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹 (名大院工)

17:00 〜 17:15

△ [19p-D7-13] InGaAs/GaAs量子ドット太陽電池における2段階光吸収の赤外分光

^○玉置亮，庄司靖，岡田至崇，宮野健次郎 (東大先端研)

17:15 〜 17:30

[19p-D7-14] InAs/GaAs量子ドット太陽電池の量子準位を介した2段階光吸収

^○（M1）加田智之¹，朝日重雄¹，海津利行¹，喜多隆¹，玉置亮²，宮野健次郎²，岡田至崇² (神戸大院工¹，東大先端研²)

17:30 〜 17:45

[19p-D7-15] InAs/AlGaAs量子構造からなる中間バンド型太陽電池の顕微光電流イメージング

^○井原章之¹，DavidTex^1,2，神谷格³，金光義彦^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²，豊田工大³)

17:45 〜 18:00

▲ [19p-D7-16] Two-beam photocurrent mapping to determine the limiting factor of the two-step two-photon-absorption processes in InAs quantum dots

^○（P）DavidTex^1,2，神谷格³，金光義彦^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²，豊田工大³)

18:00 〜 18:15

[19p-D7-17] 量子井戸太陽電池における裏面分布ブラッグ反射鏡を利用した光閉じ込め効果の増大

^○井上智之¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭¹ (東大工¹，東大先端研²)

18:15 〜 18:30

▲ [19p-D7-18] 高倍集光下の多重量子井戸太陽電池におけるキャリア輪送評価

^○WarakornYanwachirakul¹，藤井宏昌¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭¹ (東大工¹，東大先端研²)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.5 化合物太陽電池

[18a-D7-1~11] 14.5 化合物太陽電池

▲ [18a-D7-5] Existence and influence of secondary phases on the electrical properties of Cu2SnSe3 thin films

△ [18a-D7-7] 分光エリプソメトリーを用いたCu2SnSe3薄膜の光学特性評価

△ [18a-D7-9] CuSbS2およびCuSb(S1-xSex)2固溶体の結晶構造解析と光学特性評価

[18p-D7-1~8] 14.5 化合物太陽電池

▲ [18p-D7-2] Near band-edge optical responses in Cu2ZnSnS4 single crystals

▲ [18p-D7-3] Photocarrier recombination dynamics in Cu2ZnSnS4 single crystals

△ [18p-D7-5] 超臨界流体セレン化・硫化プロセスにより作製したCu2ZnSn(S,Se)4薄膜の構造特性評価

[18p-PG4-1~23] 14.5 化合物太陽電池

▲ [18p-PG4-8] Non-radiative Recombination in CIGS Solar Cells with Different Gallium Contents Investigated through PT-AFM

△ [18p-PG4-11] 超音波噴霧法による硫化物薄膜の成長

▲ [18p-PG4-17] Al/Cu2ZnSn(SSe)4 ショットキ ジャンクションの アドミッタンススペクトロスコピー

▲ [18p-PG4-18] Cu2ZnSn(S、Se)4薄膜太陽電池 の トランジェント フォトキャパシタンス スペクトロスコピー

▼ [18p-PG4-19] 二波長フォトルミネッセンス分光によるCu2ZnSnS4（CZTS）のキャラクタリゼーション

△ [18p-PG4-20] 四元系化合物Cu2ZnSnS4単結晶中のNaの影響

△ [18p-PG4-21] ナノ粒子塗布による化合物半導体薄膜の作製

[19a-D7-1~12] 14.5 化合物太陽電池

▲ [19a-D7-2] GaAs(001)上に成長したCuGaSe2薄膜のRHEED観察と光学特性

△ [19a-D7-3] 第一原理計算によるカルコパイライト型化合物の粒界構造設計

△ [19a-D7-6] 3段階法により作製したCu(In,Ga)Se2太陽電池に対する分光感度スペクトルの厳密計算

△ [19a-D7-11] Ag(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の高効率化に向けた研究

▲ [19a-D7-12] Impact of Ga/(In+Ga) Content in Different Cu(In,Ga)Se2 Part on Cell Performance Investigated by Correlation Coefficient

[19p-D7-1~18] 14.5 化合物太陽電池

▲ [19p-D7-8] 多接合タンデム太陽電池の変換効率と最適設計の内部発光効率依存性

△ [19p-D7-9] GaInNAsSb化合物太陽電池の集光特性の改善

△ [19p-D7-11] プローブ構造を用いた量子構造太陽電池におけるキャリア走行時間の測定

△ [19p-D7-12] 可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価

△ [19p-D7-13] InGaAs/GaAs量子ドット太陽電池における2段階光吸収の赤外分光

▲ [19p-D7-16] Two-beam photocurrent mapping to determine the limiting factor of the two-step two-photon-absorption processes in InAs quantum dots

▲ [19p-D7-18] 高倍集光下の多重量子井戸太陽電池におけるキャリア輪送評価

△ [18a-D7-7] 分光エリプソメトリーを用いたCu₂SnSe₃薄膜の光学特性評価

△ [18a-D7-9] CuSbS₂およびCuSb(S_1-xSe_x)₂固溶体の結晶構造解析と光学特性評価

▲ [18p-D7-2] Near band-edge optical responses in Cu₂ZnSnS₄ single crystals

▲ [18p-D7-3] Photocarrier recombination dynamics in Cu₂ZnSnS₄ single crystals

△ [18p-D7-5] 超臨界流体セレン化・硫化プロセスにより作製したCu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜の構造特性評価

▲ [18p-PG4-17] Al/Cu2ZnSn(SSe)4 ショットキジャンクションのアドミッタンススペクトロスコピー

▲ [18p-PG4-18] Cu2ZnSn(S、Se)4薄膜太陽電池のトランジェントフォトキャパシタンススペクトロスコピー

△ [18p-PG4-20] 四元系化合物Cu₂ZnSnS₄単結晶中のNaの影響

△ [19a-D7-6] 3段階法により作製したCu(In,Ga)Se₂太陽電池に対する分光感度スペクトルの厳密計算

△ [19a-D7-11] Ag(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の高効率化に向けた研究

▲ [19a-D7-12] Impact of Ga/(In+Ga) Content in Different Cu(In,Ga)Se₂ Part on Cell Performance Investigated by Correlation Coefficient