[17a-E10-1~11] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [17a-E10-11] MBE法により成長した高抵抗p型ZnO:N薄膜の精密評価 〜N_2(O)を起源とするdouble donorの検証〜

^○野田佳佑¹，政本卓也¹，木寺亮太²，松尾拓朗¹，廣江伸哉¹，秋山章雅¹，行衛孝明¹，奥山彰浩²，阿部友紀¹，笠田洋文¹，安東孝止¹ (鳥取大院工¹，鳥取大工²)

キーワード：ZnO,MBE,p型伝導制御