[17a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17a-E13-10] GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性

^○（B）石原耕史¹，近藤保成¹，松原大幸¹，飯田大輔¹，山本泰司¹，曽和美保子¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤﨑記念研究センター²)

キーワード：転位密度