[17p-PG2-1~23] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17p-PG2-2] Niナノドット電極を用いたSiOx薄膜の抵抗変化特性

^○劉冲¹，荒井崇¹，大田晃生²，竹内大智¹，張海¹，牧原克典¹，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大VBL²)

キーワード：抵抗変化メモリ