[17p-PG3-1~30] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PG3-11] IGZO/n+Siヘテロジャンクション構造を用いたDLTS法によるIGZO薄膜のトラップ準位の評価

^○小坂修司¹，安野聡¹，林和志²，岡田廣¹ (コベルコ科研¹，神戸製鋼所²)

キーワード：DLTS,IGZO