2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PG3-1~30] 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月17日(月) 16:00 〜 18:00 PG3 (G棟2階)

16:00 〜 18:00

[17p-PG3-13] パルスレーザー蒸着法を用いたSnOxNy薄膜の合成と物性評価

山崎崇範1,廣瀬靖1,2,3,中尾祥一郎2,3,原山勲4,関場大一郎4,長谷川哲也1,2,3 (東大院理1,KAST2,JST-CREST3,UTTAC4)

キーワード:エピタキシャル