[17p-PG3-1~30] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PG3-24] 対向ターゲットスパッタ法を用いたアモルファスIn-Ga-Zn-O TFT の低温形成

^○瀬尾北斗¹，堺俊克¹，相原聡¹，大竹浩¹，久保田節¹，古田守² (NHK技研¹，高知工大²)

キーワード：薄膜トランジスタ,酸化物半導体