2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 絶縁膜技術

[18a-D8-1~12] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 D8 (D215)

09:15 〜 09:30

[18a-D8-2] 微小角入射X線小角散乱及び広角散乱によるSiO2薄膜中の短距離秩序性の評価

永田晃基1,4,徳武寛紀1,長坂将也1,小椋厚志1,廣沢一郎2,諏訪智之3,寺本章伸3,服部健雄3,大見忠弘3 (明大理工1,高輝度光科学研究センター2,東北大3,学振特別研究員4)

キーワード:二酸化シリコン,シンクロトロン放射光,動径分布関数