一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術

[18a-D8-1~12] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 D8 (D215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

△ [18a-D8-1] 光電子制御プラズマCVDによるゲートスタック用DLCの誘電率制御：Low-kからHigh-kまで

^○（M1）林広幸¹，鷹林将²，楊猛¹，小川修一¹，尾辻泰一²，高桑雄二¹ (東北大多元研¹，東北大通研²)

09:15 〜 09:30

△ [18a-D8-2] 微小角入射X線小角散乱及び広角散乱によるSiO₂薄膜中の短距離秩序性の評価

^○永田晃基^1,4，徳武寛紀¹，長坂将也¹，小椋厚志¹，廣沢一郎²，諏訪智之³，寺本章伸³，服部健雄³，大見忠弘³ (明大理工¹，高輝度光科学研究センター²，東北大³，学振特別研究員⁴)

09:30 〜 09:45

[18a-D8-3] 混合させたシリコーンオイルとオゾンガスを用いた酸化シリコン膜の低温形成

^○伊藤拓也，西岡賢祐 (宮崎大工)

09:45 〜 10:00

△ [18a-D8-4] 共鳴核反応法を用いた水素分布測定および水素による絶縁膜劣化機構の詳細解析

^○東悠介¹，高石理一郎¹，鈴木正道¹，加藤弘一¹，富田充裕¹，三谷祐一郎¹，松本益明²，小倉正平²，福谷克之² (東芝研開セ¹，東大生産研²)

10:00 〜 10:15

[18a-D8-5] SiO₂, Si₃N₄, Si中の窒化種（NH_x）の拡散と反応

^○中崎靖¹，平野泉¹，宮田正靖¹，加藤弘一¹，三谷祐一郎¹，山下寛樹²，赤堀浩史² (東芝研開セ¹，東芝S&S社²)

10:15 〜 10:30

▲ [18a-D8-6] Effects of biaxially-tensile strain on properties of Si/SiO2 interface states generated by electrical stress

^○蔡偉立^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²)

休憩 10:30〜10:45 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

[18a-D8-7] SiN膜組成に依存したMONOS型メモリのデータ保持劣化メカニズム解明

^○藤井章輔，安田直樹 (東芝)

11:00 〜 11:15

△ [18a-D8-8] MONOS型メモリの消去速度と保持特性を両立するためのSiN膜設計指針

^○藤井章輔，安田直樹 (東芝)

11:15 〜 11:30

[18a-D8-9] シリコン窒化膜の紫外光誘起電流に対する金属電極の仕事関数の影響

^○（M1）鈴木亜嵐，小林清輝 (東海大院工)

11:30 〜 11:45

[18a-D8-10] Al/Al₂O₃/Al-rich Al-O/SiO₂/p-Siゲート構造メモリの高温保持特性評価

^○尾崎槙哉¹，川江健²，森本章治² (金沢大院自然¹，金沢大理工²)

11:45 〜 12:00

▲ [18a-D8-11] Effects of Annealing Ambient on the Electrical Properties of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

^○（M2）Nithi Atthi，韓大熙，大見俊一郎 (Tokyo Inst. Tech.)

12:00 〜 12:15

[18a-D8-12] High-k/SiO₂界面のダイポール層形成メカニズムの考察－多重極子誘起酸素移動モデルの提案－

^○志村昂亮¹，栗山亮¹，橋口誠広¹，高橋隆介¹，小椋厚志^3,5，佐藤真一^4,5，渡邉孝信^1,2,5 (早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，兵庫県立大⁴，ＪＳＴ－ＣＲＥＳＴ⁵)