[18a-E11-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [18a-E11-8] MOVPEによるSiO₂/Si基板上InGaAsP量子井戸構造のInP埋込み成長

^○藤井拓郎，佐藤具就，武田浩司，長谷部浩一，硴塚孝明，松尾慎治 (ＮＴＴフォトニクス研)

キーワード：エピタキシャル成長,直接接合,シリコンフォトニクス