[18a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E13-1] 薄いAlN/GaN超格子中間層によるSi基板上に成長されたGaN歪み変調のメカニズム

^○沈旭強，高橋言緒，井手利英，清水三聡 (産総研)

キーワード：GaN,Si,MBE