[18a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

▲ [18a-E13-11] III族原料流量変調エピタキシーによるN-face GaN(000-1)選択成長

^○林家弘，赤坂哲也，山本秀樹 (NTT物性研)

キーワード：N-face GaN