[18a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E13-3] ECR-MBE法で作製したグラフェン単層膜付/SiO₂/Si(001)基板上GaN薄膜(t～250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響

^○淀徳男¹，向田裕一¹，塩尻大士²，吉本護² (大工大電情通¹，東工大総理工²)

キーワード：GaN,Graphene