[18a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-E13-8] ScAlMgO₄基板上におけるGaNのMOVPE成長

^○岩渕拓也¹，窪谷茂幸¹，谷川智之^1,2，花田貴^1,2，片山竜二^1,2，湊明郎³，福田承生³，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST-CREST²，福田結晶技術研究所³)

キーワード：酸化物基板,有機金属気相成長法,窒化ガリウム