2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月18日(火) 09:00 〜 11:45 E14 (E302)

11:30 〜 11:45

△ [18a-E14-10] Via-last TSVとウェハ積層を用いた三次元CMOSデバイスの開発

○青木真由，古田太，朴澤一幸，花岡裕子，武田健一 (日立中研)

キーワード：TSV,三次元実装,ウェハ積層