2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月18日(火) 09:00 〜 11:45 E14 (E302)

11:30 〜 11:45

[18a-E14-10] Via-last TSVとウェハ積層を用いた三次元CMOSデバイスの開発

青木真由,古田太,朴澤一幸,花岡裕子,武田健一 (日立中研)

キーワード:TSV,三次元実装,ウェハ積層