2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術

[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 13:30 〜 17:30 D8 (D215)

16:45 〜 17:00

▲ [18p-D8-13] Ga2O3 and Al2O3 hybrid passivation for improving of HfO2/InGaAs MIS characteristics

○Wipakorn Jevasuwan，Tatsuro Maeda，Noriyuki Miyata，Minuro Oda，Toshifumi Irisawa，Tsutomu Tezuka，Tetsuji Yasuda (産総研)

キーワード：Insulator,III-V