2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 絶縁膜技術

[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 13:30 〜 17:30 D8 (D215)

14:15 〜 14:30

[18p-D8-4] ルチル型TiO2界面層を用いたHfO2/Ge界面構造制御

小橋和義1,2,長田貴弘2,生田目俊秀2,山下良之2,小椋厚志1,知京豊裕2 (明大理工1,物材機構2)

キーワード:High-k/Ge interface