[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

△ [18p-D8-4] ルチル型TiO₂界面層を用いたHfO₂/Ge界面構造制御

^○小橋和義^1,2，長田貴弘²，生田目俊秀²，山下良之²，小椋厚志¹，知京豊裕² (明大理工¹，物材機構²)

キーワード：High-k/Ge interface