[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

△ [18p-D8-8] プラズマ後窒化によるAl2O3/SiGe MOS界面改善のGe組成依存性

^○（M2）韓在勲^1,2，張睿^1,2，長田剛規³，畑雅彦³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²，住友化学³)

キーワード：SiGe,MOS界面,ECRプラズマ後窒化