[18p-E10-1~20] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-E10-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）a-InGaZnOの電子物性における水素の影響

^○上岡義弘¹，石河泰明^1,2，BermundoJuanPaolo¹，山﨑はるか¹，浦川哲¹，堀田昌宏^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)

キーワード：薄膜トランジスタ,IGZO,水素