一般セッション(口頭講演)

合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-E10-1~20] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月18日(火) 13:15 〜 18:30 E10 (E204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 11:45〜13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:30

[18p-E10-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）a-InGaZnOの電子物性における水素の影響

^○上岡義弘¹，石河泰明^1,2，BermundoJuanPaolo¹，山﨑はるか¹，浦川哲¹，堀田昌宏^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)

13:30 〜 13:45

[18p-E10-2] PLD法で真空製膜したアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜における電荷補償と水素によるパッシベーション効果

^○神谷利夫^1,2，HermsJohannes¹，大類貴俊¹，羽生雄一郎¹，平松秀典^1,2，雲見日出也²，細野秀雄^1,2,3，上田茂典⁴，大橋直樹^2,4 (東工大応セラ研¹，東工大元素戦略研²，東工大フロンティア研³，物材機構⁴)

13:45 〜 14:00

[18p-E10-3] アモルファスIn-Ga-Zn-Oの不純物水素によるバンドギャップワイドニングと構造緩和挙動

^○石川恭兵¹，羽生有一郎¹，平松秀典^1,2，雲見日出也²，細野秀雄^1,2,3，神谷利夫^1,2 (東工大応セラ研¹，東工大元素戦略研²，東工大フロンティア研³)

14:00 〜 14:15

[18p-E10-4] スパッタ環境の違いによる酸化物半導体の膜質評価

^○高梨泰幸，田尾博昭，越智元隆，後藤裕史，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

14:15 〜 14:30

[18p-E10-5] InGaZnOの構造評価Ⅰ：TEM試料加工・観察時の影響

^○山崎亨，舩木雅之，阿久津恵子 (材料科学技術振興財団)

14:30 〜 14:45

[18p-E10-6] InGaZnOの構造評価Ⅱ：ナノ領域における結晶構造解析

^○舩木雅之，山崎亨，阿久津恵子 (材料科学技術振興財団)

14:45 〜 15:00

[18p-E10-7] InGaZnOの構造評価Ⅲ：CAAC-InGaZnO薄膜の結晶構造解析

^○舩木雅之，山崎亨，阿久津恵子 (材料科学技術振興財団)

15:00 〜 15:15

[18p-E10-8] InGaZnOの構造評価Ⅳ：デジタル画像解析を用いたナノ結晶構造評価

^○阿久津恵子，舩木雅之，山崎亨 (材料科学技術振興財団)

15:15 〜 15:30

[18p-E10-9] スパッタ法で成膜したナノ結晶酸化物半導体への電子線照射効果の調査(1)

^○矢野路子，髙橋絵里香，大力浩二，高橋正弘，廣橋拓也，山﨑舜平 (半エネ研)

15:30 〜 15:45

[18p-E10-10] スパッタ法で成膜したナノ結晶酸化物半導体への電子線照射効果の調査(2)

^○大力浩二，太田将志，高橋正弘，廣橋拓也，山﨑舜平 (半エネ研)

休憩 15:45〜16:00 (15:45 〜 16:00)

16:00 〜 16:15

[18p-E10-11] 電子線ホログラフィーによるInGaZnO₄ /SiO₂界面の電荷分布の直接観察

^○五十嵐信行，西藤哲史，竹田裕，井上尚也，砂村潤，竹内潔，羽根正巳 (ルネサスエレ)

16:15 〜 16:30

[18p-E10-12] 酸化物半導体前駆体のインク化とマイクロ波焼成プロセスの開発

^○鄭恵貞¹，小倉晋太郎¹，酒井平祐¹，竹内和彦²，長畑律子²，植村聖¹，福田伸子¹ (産総研,フレキシブル¹，産総研,ナノシステム²)

16:30 〜 16:45

△ [18p-E10-13] Photoinduced Transient Spectroscopy 法を用いたIGZO薄膜トランジスタの電子状態評価

^○田尾博昭，高梨泰幸，森田晋也，日野綾，後藤裕史，林和志，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

16:45 〜 17:00

△ [18p-E10-14] A-IGZO TFTにおけるチャネル保護層成膜に伴う水素の拡散と欠陥パッシベーション効果

^○戸田達也，DapengWang，JingxinJiang，PhiHungMai (高知工大)

17:00 〜 17:15

[18p-E10-15] IGZO TFTのオフリーク特性の評価と解析

^○脇村豪，山内祥光，松岡俊匡，鎌倉良成 (阪大)

17:15 〜 17:30

[18p-E10-16] 大型スパッタカソードを用いたIGZO膜質均一性とTFT信頼性

^○小林大士，水野太平，大谷佑介，武井応樹，水野雄介，大久保裕夫，石橋哲，磯部辰徳，新井真，清田淳也，斎藤一也 (アルバック)

17:30 〜 17:45

△ [18p-E10-17] パルス電圧ストレス下における自己発熱による酸化物TFTの劣化解析

^○木瀬香保利¹，笘井重和²，上岡義弘¹，山﨑はるか¹，浦川哲¹，矢野公規²，DapengWang³，古田守³，堀田昌宏^1,4，石河泰明^1,4，浦岡行治^1,4 (奈良先端大¹，出光興産²，高知工科大³，CREST⁴)

17:45 〜 18:00

[18p-E10-18] スパッタ成膜単結晶InGaZnO薄膜のトランジスタ特性

^○山田良則，松林大介，松田慎平，佐藤裕平，太田将志，伊藤大吾，津吹将志，高橋正弘，廣橋拓也，坂倉真之，山﨑舜平 (半エネ研)

18:00 〜 18:15

[18p-E10-19] バルクマイクロマシニングを用いた中空構造a-InGaZnO TFTの開発

^○岩松新之輔¹，竹知和重²，阿部泰¹，矢作徹¹，田邉浩²，小林誠也¹ (山形県工技セ¹，NLTテクノロジー²)

18:15 〜 18:30

[18p-E10-20] Surrounded channel構造酸化物半導体トランジスタの移動度向上効果

^○松田慎平¹，松林大介¹，小林由幸¹，早川昌彦²，島行徳²，斉藤暁²，岡崎健一²，肥塚純一²，山﨑舜平^1,2 (半エネ研¹，AFD Inc²)