[18p-E10-1~20] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-E10-2] PLD法で真空製膜したアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜における電荷補償と水素によるパッシベーション効果

^○神谷利夫^1,2，HermsJohannes¹，大類貴俊¹，羽生雄一郎¹，平松秀典^1,2，雲見日出也²，細野秀雄^1,2,3，上田茂典⁴，大橋直樹^2,4 (東工大 応セラ研¹，東工大 元素戦略研²，東工大 フロンティア研³，物材機構⁴)

キーワード：アモルファス酸化物半導体,不純物,欠陥