[18p-E2-1~18] 17.1 成長技術

[18p-E2-2] SiC(0001) Si面上エピタキシャルグラフェン成長における[1-100]ステップの役割

^○影島博之¹，日比野浩樹¹，山口浩司¹，永瀬雅夫² (NTT物性基礎研¹，徳島大工²)

キーワード：グラフェン,SiC,成長機構