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一般セッション(口頭講演)

17．ナノカーボン » 17.1 成長技術

[18p-E2-1~18] 17.1 成長技術

2014年3月18日(火) 13:15 〜 18:00 E2 (E102)

14:00 〜 14:15

[18p-E2-4] SiC(0001)に形成したバッファー層上へのMBEによるグラフェン成長

^○前田文彦，高村真琴，日比野浩樹 (ＮＴＴ物性基礎研)

キーワード：グラフェン,分子線エピタキシャル成長,バッファー層