2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[18p-E5-1~11] 15.6 IV族系化合物

2014年3月18日(火) 13:15 〜 16:15 E5 (E105)

13:30 〜 13:45

[18p-E5-2] 界面トラップによるクーロン散乱を取り入れたSiC-MOSFETのキャリア移動度モデル

野口弘樹,村上英一,園田優 (九州産業大)

キーワード:SiC-MOSFET,半導体