2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[18p-E5-1~11] 15.6 IV族系化合物

2014年3月18日(火) 13:15 〜 16:15 E5 (E105)

15:15 〜 15:30

[18p-E5-8] コンダクタンス法を用いたSiC(11\overline{2}0)および(1\overline{1}00) MOS界面準位の評価

中澤成哉1,奥田貴史1,中村孝2,木本恒暢1 (京大工1,ローム2)

キーワード:SiC,MOS,コンダクタンス法