[18p-F6-1~20] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [18p-F6-17] nチャネルGe_1-xSn_x MOSFETの電流-電圧特性へのSn組成依存性

^○浅野孝典¹，田岡紀之¹，加藤公彦¹，坂下満男¹，張睿²，横山正史²，竹中充²，高木信一²，財満鎭明¹ (名大院工¹，東大院工²)

キーワード：ゲルマニウムスズ,MOSFET