[18p-F9-1~16] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

[18p-F9-7] Spin-on dopantを用いたGe表面改質によるPL発光増強

^○大澤茜^1,2，安武裕輔^1,3，深津晋¹ (東大院総合¹，横浜雙葉中学高等学校²，JST さきがけ³)

キーワード：半導体 ゲルマニウム Ge フォトルミネッセンス スピンオンドーパント 表面改質