[18p-PA12-1~10] 13.4 デバイス/集積化技術

[18p-PA12-3] 110億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析

^○水谷朋子，アニールクマール，平本俊郎 (東大生研)

キーワード：MOSFET,しきい値電流,ばらつき