[18p-PA12-1~10] 13.4 デバイス/集積化技術

△ [18p-PA12-5] Sb拡散ソース・ドレインを有する酸化濃縮基板上反転型極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFET

^○金佑彊^1,2，金栄現^1,2，金相賢^1,2，長田剛規³，秦雅彦³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大¹，JST-CREST²，住友化学³)

キーワード：Ge MOSFET,Ge condensation,Solid phase diffusion