[18p-PA12-1~10] 13.4 デバイス/集積化技術

[18p-PA12-8] 低誘電率SiCN膜の不揮発性メモリデバイスへの応用（Ⅳ）

^○（M1）内藤慎二¹，伊藤佳奈²，小林清輝^1,2 (東海大院工¹，東海大工²)

キーワード：SiCN,不揮発性メモリ