[19a-E10-1~9] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19a-E10-3] バイアス電圧印加PLD法によるZnO薄膜の薄膜トランジスタによる評価

^○虻川雄矢，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県大)

キーワード：薄膜トランジスタ,酸化亜鉛,PLD