2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:00 E13 (E301)

11:45 〜 12:00

[19a-E13-11] Pre-sputter Technology for GaN Acceptor Doping by Mg-ion Implantation

○(D)孫政3,永山勉1,渡邊哲也2,本田善央3,天野浩3,4 (Nissin Ion Equipment Co., Ltd.1,Nissin Electric Co., Ltd.2,Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya Univ.3,Akasaki Research Center, Nagoya Univ.4)

キーワード:GaN, doping,ion implantation