[19a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E13-4] 高品質半極性面AlGaN/AlN量子井戸構造における内部電界の抑制と短い輻射再結合寿命の実現

^○市川修平，船戸充，川上養一 (京大院工)

キーワード：半極性,AlGaN,内部電界