[19a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19a-E14-10] ミニマル-メガファブハイブリッドプロセスによるデバイス特性

^○SommawanKhumpuang^1,2，長尾昌善¹，松川貴¹，遠藤和彦¹，昌原明植¹，原史朗^1,2 (産総研¹，ミニマルファブ技術研究組合²)

キーワード：MOSFET,ハーフインチウェハ,ミニマルファブ