2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性

[19p-D3-1~14] 14.1 探索的材料物性

2014年3月19日(水) 14:00 〜 17:45 D3 (D114)

16:30 〜 16:45

[19p-D3-10] スパッタリング法による低残留キャリア密度β-FeSi2多結晶薄膜の作製と電気伝導機構の評価

○（B）服部哲，東貴彦，塚本裕明，山口陽己，寺井慶和 (鹿児島大 工)

キーワード：シリサイド