[19p-D9-1~18] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19p-D9-14] パルスレーザーメルティング法を用いて硫黄を過飽和ドープしたＳｉ単結晶の光吸収と電気伝導特性のフルーエンス依存性

^○（M1）長尾克紀¹，稲田貢²，内藤宗幸¹，則村憲吾¹，中井達也¹，青木珠緒¹，杉村陽¹，梅津郁朗¹ (甲南大理工¹，関西大システム理工²)

キーワード：太陽電池,過飽和ドープ,光吸収