18:45 〜 19:00
▲ [19p-D9-18] Effects of Nitrogen Concentration on the Electrical Properties of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering
キーワード：gate insulator,Hafnium nitride,ECR plasma sputtering
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
[19p-D9-1~18] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
2014年3月19日(水) 14:00 〜 19:00 D9 (D315)