[19p-E13-1~17] 窒化物半導体特異構造の科学　〜成長・作製と新機能の発現〜

[19p-E13-4] 前駆体二段階生成HVPE法により作製したInN成長層の特性評価

^○富樫理恵，斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 (東京農工大院工)

キーワード：InN,Hydride Vapor Phase Epitaxy